SK하이닉스 "2030년 AI 인프라 성능 규모 20배 확대 전망"

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안현 사장 '반도체대전' 기조연설…HBM·HBF 등 기술혁신 강조

(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 안현 SK하이닉스[000660] 개발총괄 사장은 14일 "인공지능(AI) 인프라의 성능 규모가 오는 2030년에는 올해보다 약 20배까지 커질 것"이라고 말했다.

안 사장은 이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전'(SEDEX 2026) 기조연설에서 AI 추론 시장의 급격한 성장세를 설명하며 이같이 밝혔다.

안 사장은 'AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향'을 주제로 발표에 나섰다.

그는 AI 추론 시장이 작업의 복잡도와 한 번에 처리하는 정보의 양(컨텍스트 길이), 추론 요청량 등 세 가지 측면에서 동시에 성장하고 있다고 진단했다.

이들 요인이 서로 맞물리면서 AI 인프라 수요가 빠르게 확대되고 있다는 설명이다.

이처럼 AI 추론 수요가 급증하면서 대규모 데이터를 저장하고 이동시키는 메모리의 역할도 갈수록 중요해지고 있다.

특히 AI가 이전에 처리한 정보를 저장하고 재활용하는 'KV 캐시'의 용량이 늘어나면서 고대역폭 메모리(HBM)와 D램, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 서로 다른 메모리에 데이터를 분산해 저장해야 하는데, 이 과정에서 발생하는 데이터 이동이 새로운 성능 및 전력 소모의 병목으로 떠오르고 있다는 분석이다.

이에 안 사장은 개별 메모리의 성능을 높이는 것을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하는 접근이 필요하다고 강조했다.

SK하이닉스는 이를 위해 기존 HBM의 성능을 고도화하는 동시에 3차원(3D) 적층 D램과 고대역폭 플래시(HBF) 등 차세대 메모리 기술 개발을 추진하고 있다.

차세대 기술인 3D 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU)·신경망처리장치(NPU) 등 로직 반도체 위에 D램을 쌓아 성능을 높이고 에너지 소모를 줄인 기술이다.

또 HBF는 HBM에 적용된 TSV(실리콘관통전극) 적층 및 고속 입출력 기술을 낸드에 접목한 차세대 메모리로, HBM과 D램 사이에 새로운 메모리 계층을 구축한다는 방침이다.

SK하이닉스는 HBF의 대역폭을 동세대 HBM의 절반 수준으로 확보하면서도 용량은 약 10배로 높인다는 목표다. 향후 HBF의 표준화와 글로벌 파트너들과 협력을 추진하는 한편, 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 등 차세대 메모리 기술 개발도 이어갈 계획이다.

한편 SK하이닉스는 이번 전시회에서 HBM4E(7세대), HBF, 서버·PC·모바일용 D램과 낸드, SSD 등 AI 반도체 설루션을 대거 선보였다.

한국반도체산업협회에 따르면 올해 행사에는 300개 기업이 888개 부스 규모로 참가했다. 지난해보다 참가 기업은 70여개, 부스는 230여개 늘어난 역대 최대 규모다.

burning@yna.co.kr

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