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최대 속도 16Gbps…HBM4 대비 에너지 효율 20% 개선
공정 개선해 열저항 17% 낮춰…고성능 환경서 안정성 강화
[SK하이닉스 제공. 재판매 및 DB 금지]
(서울=연합뉴스) 조성흠 기자 = SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 고대역폭 메모리(HBM) 7세대 제품 HBM4E의 샘플 공급을 시작했다.
이전 세대 제품인 HBM4에 비해 한층 높아진 품질과 검증된 양산 역량을 바탕으로 HBM4E 시장에서도 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다.
SK하이닉스는 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 설명했다.
신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올렸다.
핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.
또한 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다.
이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대했다.
아울러 이번 제품은 개선된(어드밴스드·Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높인 점이 특징이다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 말한다.
특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.
SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 최적화된 메모리 설루션을 적기에 제공해온 데 이어, 이번 HBM4E에서도 검증된 품질과 공급 역량을 기반으로 차세대 인프라 구현을 지원해 나갈 계획이다.
SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO·Chief Development Officer)은 "업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 이끌어갈 기반을 마련했다"며 "시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 '풀 스택 AI 메모리 크리에이터'로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
josh@yna.co.kr
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