SK하이닉스, 8월 용인 1기 팹 2단계 착공…캐파 확대 가속화

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클린룸 3개로 구성된 골조 2단계 공사 확정…미래 수요 대응

(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 수급 부족에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 구축에 속도를 높인다.

15일 업계에 따르면, SK하이닉스는 오는 8월 용인 반도체 클러스터 1기 팹 2단계 건물을 착공한다.

또한 최근 2기 팹 구축 계획도 확정한 것으로 전해진다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다.

이중 첫 번째인 1기 팹은 2개의 골조와 총 6개의 클린룸으로 구성되는데, SK하이닉스는 1기 팹 전체의 절반에 해당하는 골조 1단계에 대해 지난해 2월 기초공사를 시작한 후 현재 공사를 진행 중이다.

이어 올해 4월 골조 2단계에 대한 기초 공사를 시작하고 8월 건물 착공에 들어가며 밀려드는 고객 수요에 대비하기 위한 미래 생산능력(캐파) 확대를 가속하는 것으로 풀이된다.

SK하이닉스는 1기 팹 건설에 약 31조원을 투자할 계획이다. 또한 당초 2027년 5월로 예정했던 첫 클린룸 오픈 시점을 2월로 3개월가량 앞당기며 생산 라인 확대에 서두르고 있다.

전 세계적인 AI 인프라 구축 열풍으로 반도체 공급부족 사태가 장기화하는 상황에서 SK하이닉스를 포함한 메모리 반도체 업체들은 설비 투자를 앞당기며 밀려드는 주문에 대응하고 있다.

삼성전자는 평택캠퍼스에 현재 건설 중인 P5 팹1과 동일한 구조로 만들어진 팹2 착공을 내년 초에서 올해 하반기로 당긴 것으로 전해졌다.

jakmj@yna.co.kr

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