SK하이닉스, 'TSMC 기술 심포지엄' 참가…HBM 파트너십 강조

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(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = SK하이닉스가 미국에서 열린 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에 참가해 인공지능(AI) 메모리 리더십을 강조하는 한편, TSMC와 견고한 파트너십을 다시 한번 확인했다.

SK하이닉스는 23일 뉴스룸을 통해 지난 22일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위 TSMC 주최로 개최된 기술 심포지엄에 참가했다고 밝혔다.

이 행사는 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 전 세계 7개 주요 거점 지역에서 반도체 설계 및 제조 파트너들을 모아 최신 기술 및 협력 성과를 공유하는 자리다.

올해 행사에서 SK하이닉스는 HBM3E(5세대)·HBM4(6세대) 등 고대역폭 메모리(HBM)와 서버용 D램 제품 라인업을 전시해 관람객들의 이목을 끌었다.

특히 HBM4 전시 공간에 'TSMC의 첨단 공정 기술이 적용된 베이스다이 채택'이라는 문구를 명시하며 TSMC와의 기술 파트너십을 전면에 내세웠다.

SK하이닉스는 HBM4에 5세대 10나노급 D램(1b) 공정과 TSMC의 12나노 베이스다이를 활용하고 있다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 기조연설자로 나서 '차세대 AI 메모리: 지능화, 융합, 그리고 협업'을 주제로, 기술 한계 극복을 위해 경계를 허무는 파괴적 혁신의 필요성을 역설했다.

안 사장은 "AI 기술의 발전을 가로막는 '메모리 병목 현상'을 돌파하기 위해서는 기존 구조 개선을 넘어선 새로운 접근이 필요하다"며 "메모리와 로직 기술의 통합은 AI 성능을 극대화할 새로운 기술적 돌파구가 될 것"이라고 말했다.

이어 "SK하이닉스는 단순한 공급자를 넘어 아키텍처 설계 단계부터 필요한 설루션을 함께 고민하는 크리에이터로 진화하고 있다"며 "HBM4부터 베이스다이에 TSMC의 선단 로직 공정을 도입하는 등 전략적 협업을 공고히 하겠다"고 밝혔다.

그는 향후 '맞춤형(커스텀) HBM'을 넘어 HBF(고대역폭 낸드플래시), 3D 적층 D램 등 고객 워크로드에 최적화된 맞춤형 설루션을 제공하겠다는 청사진도 제시했다.

SK하이닉스는 "이번 심포지엄을 통해 TSMC와의 공고한 파트너십을 확인하는 동시에 회사의 기술 진화 방향성을 널리 알릴 수 있었다"며 "앞으로도 독보적인 기술 리더십을 바탕으로 AI 시대를 선도해 나가겠다"고 했다.

burning@yna.co.kr

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