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ASML 주도 차세대 12인치 포토 마스크 도입 컨소시엄 참여
2028년 첨단 D램 공정에 '하이 NA EUV' 노광장비 적용 계획
[삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지]
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 세계 최대 노광장비 기업 ASML과 협력을 확대해 오는 2028년 업계 최초로 '하이 NA'(High-NA) 극자외선(EUV) 장비의 D램 제조 도입을 추진한다.
삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'(Large Size Mask Consortium)에 참여하고 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다고 8일 밝혔다.
컨소시엄은 현재 반도체 노광 설비에 사용되는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체로, 12인치 포토마스크 개발을 목표로 공동 연구·표준 개발 등의 협력을 진행할 예정이다.
포토마스크는 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 '마스크(틀)'로 노광 설비 내에서 빛을 통해 웨이퍼에 설계된 패턴을 새기는 필수 도구다. 회로를 새기는 정밀도가 반도체 성능과 수율을 결정짓는다.
지난 수십년간 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용돼 왔으나 하이 NA EUV 도입과 함께 12인치 마스크로 전환할 경우 한 번에 넓은 면적의 회로를 웨이퍼에 새길 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.
삼성전자는 ASML과의 협력 확대를 통해 오는 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV 도입을 추진한다는 계획이다.
이를 통해 차세대 D램의 미세화 경쟁에 선제적으로 대응하고, 하이 NA EUV의 제조 공정 안정성을 조기 검증해 새로운 노광 기술을 양산 체계에 빠르게 안착시킨다는 방침이다.
[ASML 제공. 재판매 및 DB 금지]
하이 NA EUV 장비는 1.4나노 이하 등 최선단 로직 공정과 첨단 메모리 제조에 필수적인 장비로 꼽힌다.
기존 EUV 장비는 한 번에 그릴 수 있는 반도체 회로 선폭이 최대 13.5nm(나노미터)지만, 하이 NA EUV 장비는 빛의 개구수를 높여 8nm 수준의 더 얇은 선폭을 그릴 수 있다. 또 4번의 멀티패터닝으로 2nm 회로를 구현하는 기존 EUV와 달리, 공정 수를 이론상 절반으로 줄일 수 있다.
삼성전자는 2025년 3월에 하이 NA EUV 설비를 국내 최초로 반입하는 등 차세대 노광 설비 도입과 관련해 ASML과 긴밀하게 협력 중이다.
jakmj@yna.co.kr
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