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용인 D램 팹 Y2 35.2조·청주 낸드 팹 M17 19.1조원 투자
중장기 수요에 인프라 선제 확보…실제 수요 따라 생산능력 점차 확대
[SK하이닉스 제공. 재판매 및 DB 금지] photo@yna.co.kr
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요 증가 대응을 위해 용인과 청주에 건설할 신규 D램·낸드 생산 팹(Fab)의 투자 규모를 확정했다.
SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 2기 팹(Y2)과 청주 낸드 생산기지 M17 팹 건설에 각각 35조2천억원, 19조1천억원 등 약 54조원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.
이번 결정은 올해 6월 밝힌 중장기 투자 전략의 일환이다.
SK하이닉스는 앞서 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획에 따라 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이며, 이번 투자 결정으로 후속 팹 건설에 나선다.
SK하이닉스는 "AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않으며, 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력"이라며 "면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다"고 밝혔다.
용인 Y2는 회사가 용인 반도체 클러스터에 조성 중인 총 4기의 팹 중 두 번째 팹으로, 연면적 34.1만평 규모로 조성될 예정이다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이며, 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 생산 거점으로 구축된다.
현재 건설 중인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 공사가 순조롭게 진행되고 있다.
Y2 건설에 대한 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다. 이번 투자액에는 업무복지시설을 갖춘 '지원동', 개발 제품의 실험·테스트·분석을 통합 운영하는 '연구개발통합센터', 부대시설 등의 건설 비용이 포함됐다.
[연합뉴스 자료사진]
SK하이닉스는 당초 2045년으로 예정했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 4기 팹 건설을 마친다는 목표를 세웠다.
경기도 용인시 처인구 원삼면 일대에 약 126만 평 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터는 Y2 가동까지 필요한 1단계 전력·용수 인프라 구축이 99%의 공정률로 마무리 단계에 접어들었다.
청주 M17은 연면적 20.6만 평 규모로, 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 오픈할 예정이다.
투자 기간은 2031년 4월까지로, 사업 일정에 맞춰 단계적으로 집행할 예정이다.
청주에는 SK하이닉스의 기존 낸드 생산 팹인 M11·M12·M15가 위치해 있어 새로운 팹을 위한 부지와 전력·용수가 상당 부분 갖춰져 있다. 기존 팹과의 연계를 통해 생산을 효율화하고 가장 빠르게 신규 팹을 건설한다는 방침이다.
SK하이닉스는 고객사의 중장기적 수요를 바탕으로 팹 건설을 계획된 일정에 따라 진행해 생산 인프라를 선제적으로 확보할 계획이다. 이어 클린룸 증설과 장비 투입은 수요 흐름에 맞춰 순차적으로 이어가며 생산능력을 확대해 나간다는 계획이다.
jakmj@yna.co.kr
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