다음 내용이 궁금하다면?
불편하시다면 뒤로 가기를 눌러주세요
[삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지]
(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스 'FMS 2026' 기간 열린 'FMS 어워드'에서 차세대 메모리 기술을 인정받아 2개 부문을 수상했다고 6일 밝혔다.
삼성전자는 'V10 BV-낸드(NAND)'로 3D 낸드 혁신상(3D & NAND Innovation Award)을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상(Next-Gen Memory Award)을 각각 받았다.
V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬(BV·Bonding Vertical) 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용해 저장 용량을 높이는 동시에 전력 소비와 발열을 줄인 것이 특징이다.
LPDDR5X-PIM은 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM(프로세싱 인 메모리) 기술을 적용한 차세대 메모리 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동을 최소화함으로써 성능과 전력 효율을 높였으며, AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등에 활용될 핵심 기술로 평가받고 있다.
삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 설루션, 차세대 스토리지 기술 등을 선보일 예정이다.
burning@yna.co.kr
Copyright 연합뉴스 All rights reserved. 무단 전재 및 재배포 금지.
인기상품 확인하고 계속 읽어보세요!
원치 않을 경우 뒤로가기를 눌러주세요.